IPD50N04S408ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD50N04S408ATMA1 מאת Infineon ו IPB35N10S3L26ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD50N04S408ATMA1 | IPB35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T2 | OptiMOS Power-Transistor |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (V DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I D, Tc) | 50 A | — |
| Power Dissipation (P D, Tc) | 46 W | — |
| מארז | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| רמת MSL | MSL1 (260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100 % Avalanche tested | — |
| Green Package (RoHS) | RoHS compliant | — |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical] | — |
| On-State Resistance (R DS(on)) | [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V] | — |
| Total Gate Charge (Q G) | [DATA_NEEDED: Q G typical] | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 35 A |
| זרם ניקוז פועם | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| RDS(on) (typical) | — | 26.3 mOhm |
| מספר פינים | — | 3 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page classification) |