IPD50N06S409ATMA2 vs IPD028N06NF2SATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD50N06S409ATMA2 מאת Infineon ו IPD028N06NF2SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD50N06S409ATMA2 | IPD028N06NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| מספר פינים | 3 (2 + Tab) | 3 (Gate, Drain-tab, Source) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD028N06NF2SATMA1 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 60V |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 139 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 2.85 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 150 W |
| טווח טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| רמת MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |