IPD50N06S409ATMA2 vs IPD028N06NF2SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD50N06S409ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD028N06NF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD50N06S409ATMA2 IPD028N06NF2SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
پن کی تعداد 3 (2 + Tab) 3 (Gate, Drain-tab, Source)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD028N06NF2SATMA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Technology Family — OptiMOS 5 60V
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 139 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 2.85 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation at TC=25°C — 150 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Packing — Tape & Reel (T&R)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں