IPD50N10S3L16ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD50N10S3L16ATMA1 מאת Infineon ו IPD50N06S409ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD50N10S3L16ATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD50N10S3L16ATMA1 | — |
| Series | OptiMOS-T | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 200 A | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 15 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 2.5 V (typ) | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C=25C) | 100 W | — |
| מארז | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| מספר פינים | — | 3 (2 + Tab) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |