IPD90N03S4L02ATMA1 vs IPT007N06NATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD90N03S4L02ATMA1 מאת Infineon ו IPT007N06NATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPD90N03S4L02ATMA1 IPT007N06NATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
RDS(on) Max at VGS=10 V 2.2 mΩ —
RDS(on) Max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V] —
Gate Drive Voltage (VGS) 4.5 V to 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical value] —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +175°C —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
מארז PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS Compliant (Green Package) Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Series OptiMOS-T2 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 0.75 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 375 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C (TJ)
Configuration — Single N-channel
Gate Charge (QG) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]
Thermal Resistance (RthJC max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead-Free — Yes
נטול הלוגנים — Yes
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר