IPT022N10NF2SATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPT022N10NF2SATMA1 מאת Infineon ו IAUCN08S7L033ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 - 100V 2.2mΩ StrongIRFET 2 N-MOSFET | Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPT022N10NF2SATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | StrongIRFET 2 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 236 A | — |
| Typical RDS(on) at VGS=10V | 2.2 mΩ | — |
| Power Dissipation at Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 250 W | — |
| מארז | PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS 7 trench MOSFET |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -55°C to +175°C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | Automotive OptiMOS 7 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| Qualification | — | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| רמת MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |