IPTC039N15NM5ATMA1 vs IRF1310NSTRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPTC039N15NM5ATMA1 מאת Infineon ו IRF1310NSTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 - 150V 190A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPTC039N15NM5ATMA1 | IRF1310NSTRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 21 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 190 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 319 W | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.9 mOhm | — |
| Gate Charge Qg typical | 74 nC | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C (junction) | — |
| מארז | PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) | D2PAK (TO-263AB) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench | IR MOSFET (HEXFET) |
| Cooling | Top-side cooled (case above PCB) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 73.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 160 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C |
| Built-in Diode | — | Yes (intrinsic body diode) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |