IPTC039N15NM5ATMA1 vs IRF1310NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPTC039N15NM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IRF1310NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF - 100V 42A N-Channel MOSFET | Infineon D2PAK

IRF1310NSTRLPBF - 100V 42A N-Channel MOSFET | Infineon D2PAK

IRF1310NSTRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPTC039N15NM5ATMA1 IRF1310NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 190 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 319 W —
On-Resistance RDS(on) typical 3.9 mOhm —
Gate Charge Qg typical 74 nC —
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55 C to +175 C (junction) —
پیکیج PG-HDSOP-16-2 (top-side cooled) D2PAK (TO-263AB)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench IR MOSFET (HEXFET)
Cooling Top-side cooled (case above PCB) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — 73.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 160 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
Built-in Diode — Yes (intrinsic body diode)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Configuration — Single with built-in diode

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں