IQE036N08NM6ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE036N08NM6ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN10S5L280DATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IQE036N08NM6ATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 118 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.6 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| מארז | PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +150°C (junction, per datasheet) | -55C to +175C (junction) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse, per datasheet) | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| Technology | — | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| מספר פינים | — | 8 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |