IR2181SPBF vs IR2101STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2181SPBF מאת Infineon ו IR2101STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2181SPBF IR2101STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge (High Side + Low Side) —
מספר יציאות 2 (independent high-side and low-side) —
High-Side Offset Voltage Up to +600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VB-VS) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD/VSS) 3.3 V to 20 V (logic-level compatible) —
Source/Sink Drive Current 1.9 A source / 2.3 A sink (typical) —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, and 15 V logic 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Propagation Delay (typ.) 140 ns (typical) —
UVLO Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
Negative Transient on VS Tolerant —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40 C to +125 C
מארז 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (unlimited) MSL 3
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Configuration — Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Number of Drivers — 2
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר