IRF4905LPBF vs IRF4905SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF4905LPBF מאת Infineon ו IRF4905SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF4905LPBF IRF4905SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C 200 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C -55 C to +150 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value] —
Rise Time (tr) typ [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (tf) typ [DATA_NEEDED: fall time] —
מארז TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin D2PAK (TO-263) surface mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET, planar cell
סוג הרכבה Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PbF suffix) —
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 170 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC (typical per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
סטטוס RoHS — Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — JEDEC standard

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר