IRF640NSTRLPBF vs IRFZ48NSTRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF640NSTRLPBF מאת Infineon ו IRFZ48NSTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF640NSTRLPBF | IRFZ48NSTRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | N-Channel Power MOSFET |
| Technology | HEXFET (5th generation, trench MOSFET) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 150 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 0.15 ohm | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | 54 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | [DATA_NEEDED: Crss] | — |
| טווח טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount (Tape and Reel) | Surface Mount |
| Lead-Free (PbF) | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 64 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) | — | 14 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 130 W |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 | — | 3.8 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel, TRL) |
| Lead Finish | — | Lead-free (PBF) matte tin |
| Technology Family | — | HEXFET advanced process technology |