IRF640NSTRLPBF vs IRFZ48NSTRLPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF640NSTRLPBF bằng Infineon và IRFZ48NSTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF640NSTRLPBF | IRFZ48NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | N-Channel Power MOSFET |
| Technology | HEXFET (5th generation, trench MOSFET) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 150 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 0.15 ohm | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | 54 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | [DATA_NEEDED: Crss] | — |
| Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | — |
| Hộp | D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (Tape and Reel) | Surface Mount |
| Lead-Free (PbF) | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 64 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) | — | 14 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 130 W |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 | — | 3.8 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +175C |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel, TRL) |
| Lead Finish | — | Lead-free (PBF) matte tin |
| Technology Family | — | HEXFET advanced process technology |