IRFL014NTRPBF vs IRFR5305TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFL014NTRPBF מאת Infineon ו IRFR5305TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFL014NTRPBF IRFR5305TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25 C 1.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at 70 C [DATA_NEEDED: ID at 70 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 160 milliohm —
Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Threshold Voltage VGS(th) typical [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (PD) at 25 C 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (junction) —
מארז SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab) TO-252AA (DPAK), surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating Yes (dynamic dv/dt rated) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant Yes (Pb-free, suffix "PBF")
רמת MSL Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Technology HEXFET (planar N-channel, fifth generation) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר