IRFR1205TRPBF vs IRFR2405TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR1205TRPBF מאת Infineon ו IRFR2405TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR1205TRPBF IRFR2405TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC 70 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C -55C to +175C
מארז TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
רמת MSL — 1
נטול הלוגנים — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר