IRFS4321TRLPBF vs IRFS4321TRRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFS4321TRLPBF מאת Infineon ו IRFS4321TRRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) Max at VGS=10V 15 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) Typ 71 nC —
Total Gate Charge (Qg) Max 110 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 350 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) Max 0.45 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) End-of-Life 0.65 C/W (after 1000 cycles -55C to +150C) —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C -55C to +175C
מארז TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
סטטוס RoHS Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 85 A (Tc)
Continuous Drain Current (ID) at 100C — [DATA_NEEDED: ID at 100C]
RDS(on) Maximum at VGS=10V — 15 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 71 nC
Gate-to-Source Voltage Maximum — +/- 30 V
Power Dissipation (PD) — 350 W (Tc)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 0.65 C/W (end of life, D2PAK)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA]
Avalanche Energy Rating — Single-pulse avalanche rated (per datasheet)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free (PBF suffix), RoHS Compliant
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר