IRLS3036TRLPBF vs IRFB3207ZPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLS3036TRLPBF מאת Infineon ו IRFB3207ZPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRLS3036TRLPBF IRFB3207ZPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity N-Channel —
Technology IR HEXFET (planar DMOS) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 270 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C 195 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 1100 A —
Rds(on) max @ Vgs=10V 1.9 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) typ 91 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 380 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C —
מארז D2PAK (TO-263), surface mount TO-220AB (3-lead through-hole)
סוג הרכבה Surface Mount Through Hole
רמת MSL 1 N/A (through-hole)
סטטוס RoHS Compliant (PBF suffix) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Integrated Body Diode Yes (avalanche rated) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר