IRS2110SPBF vs IR2109SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2110SPBF מאת Infineon ו IR2109SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2110SPBF IR2109SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
תצורת מוצא Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC)
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז 16-SOIC (SOIC-16 W) SOIC-8
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
רמת MSL 3 —
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
זמן עלייה — 200 ns
זמן ירידה — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Bootstrap Diode — Integrated
טמפרטורת צומת פעולה — -40 C to +150 C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר