ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC009N03LF2SATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC028N03LF2SATMA1 מאת Infineon ו ISC009N03LF2SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISC028N03LF2SATMA1 | ISC009N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 128 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC | 83 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 C to +175 C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Lead-Free | Yes (RoHS compliant) | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS™ trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 43 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 341 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.35 V (typ) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | 10 V (typical for rated RDS(on)) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |