K4A8G045WB-BCPB vs K4A8G045WB השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G045WB-BCPB מאת Samsung Electronics ו K4A8G045WB מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G045WB-BCPB | K4A8G045WB |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $9.02 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 2G x 4 | 2G x 4 |
| קצב נתונים | 2133 Mbps/pin (PC4-2133) | 2133 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| מארז | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Prefetch Architecture | 8n | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Refresh Modes | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Reset | Asynchronous Reset | — |
| Clocking | Differential clocks (CK/CK#) | Differential clock (CK / CK#) |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | 0 C to +85 C |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 211.7 mA |
| תכונות | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Programmable CWL | — | Yes |
| Internal (Self) Calibration | — | Yes |