MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G8NCJR-VKC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT40A1G8AG-062E מאת Micron Technology ו H5AN8G8NCJR-VKC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | MT40A1G8AG-062E | H5AN8G8NCJR-VKC |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile) |
| גודל זיכרון | 8 Gbit | 8 Gbit |
| ארגון | 1G x 8 | — |
| ממשק | Parallel | Parallel (DDR4) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) | 1.6 GHz |
| Clock Cycle Time | 19 ns class (-062E speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) |
| מארז | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperature Grade | Automotive (AUT) | — |
| Access Time (CAS Latency class) | DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 bank groups) | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| CA Parity | Supported (DDR4 command/address parity) | — |
| Packaging Option | Tape and Reel (TR / :R suffix) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | [DATA_NEEDED: refresh period] |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| קצב נתונים | — | 2666 Mbps/pin |
| Operating Current (typ) | — | 30 mA |
| Standby Current (typ) | — | 3 mA |
| טמפרטורת פעולה | — | 0C to +85C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |