MT40A512M16TB-062E:R vs YZ48G16V-F9HPI-M השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT40A512M16TB-062E:R מאת Micron Technology ו YZ48G16V-F9HPI-M מאת Loongtion. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | MT40A512M16TB-062E:R | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Loongtion |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $60.00 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| קצב נתונים | 3200 MT/s | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| השהיית CAS | 22 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C | — |
| מארז | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA96 |
| ממשק | Parallel | DDR4 |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bits | 16 bits |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| תכונות | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 512M x 16 |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +85°C |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| מספר פינים | — | 96 |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| Refresh | — | Auto-refresh |