MT41K256M16HA-15EM:E vs K4B4G1646D-BYK00 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT41K256M16HA-15EM:E מאת Micron Technology ו K4B4G1646D-BYK00 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16HA-15EM:E ✓ פעילSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MT41K256M16HA-15EM:E | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| מתח אספקה | 1.35 V (1.5V compatible) | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| קצב נתונים | 1333 Mbps (DDR3L-1333) | 1600 Mbps |
| השהיית CAS | 15 | Programmable |
| מארז | 96-ball FBGA (9x14mm) | 96-ball TFBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| מספר פינים | 96 | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| ממשק | Parallel | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |