SSM3K35CT-L3F vs SSM3K35CT השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של SSM3K35CT-L3F מאת Toshiba ו SSM3K35CT מאת Toshiba. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר SSM3K35CT-L3F SSM3K35CT
מותג Toshiba Toshiba
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity N-Channel N-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (V(DSS)) 20 V —
Gate-Source Voltage (V(GSS)) ±10 V (per datasheet, [DATA_NEEDED: exact value]) —
Continuous Drain Current (I(D)) 0.18 A (180 mA) —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS = 2.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 500 mW (Ta) / [DATA_NEEDED: Ta condition] —
מארז SOT-883 (CST3), 3 pins SOT-883 (CST3), 3-pin leadless
Package Size 1.0 mm x 0.6 mm, max height 0.5 mm —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: junction/storage temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Lead-Free Yes (L3F suffix) Yes
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel 8 mm embossed carrier, 3,000 pcs/reel (L3F suffix) —
Manufacturer Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation —
MOSFET Mode — Enhancement
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 0.18 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 3.0 Ω at VGS = 4 V
Gate Threshold Voltage (Vth) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max gate-source voltage]
Power Dissipation (PD) — 100 mW (Ta)
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Outline Code — CST3 (Toshiba internal), 2-1J1B
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Application Category — High-Speed Switching / Analog Switches

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר