SSM3K35CT-L3F vs SSM3K35CT موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از SSM3K35CT-L3F بذریعہ Toshiba اور SSM3K35CT بذریعہ Toshiba. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر SSM3K35CT-L3F SSM3K35CT
برانڈ Toshiba Toshiba
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel N-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (V(DSS)) 20 V —
Gate-Source Voltage (V(GSS)) ±10 V (per datasheet, [DATA_NEEDED: exact value]) —
Continuous Drain Current (I(D)) 0.18 A (180 mA) —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS = 2.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 500 mW (Ta) / [DATA_NEEDED: Ta condition] —
پیکیج SOT-883 (CST3), 3 pins SOT-883 (CST3), 3-pin leadless
Package Size 1.0 mm x 0.6 mm, max height 0.5 mm —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: junction/storage temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Lead-Free Yes (L3F suffix) Yes
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Tape and Reel 8 mm embossed carrier, 3,000 pcs/reel (L3F suffix) —
Manufacturer Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation —
MOSFET Mode — Enhancement
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 0.18 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 3.0 Ω at VGS = 4 V
Gate Threshold Voltage (Vth) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max gate-source voltage]
Power Dissipation (PD) — 100 mW (Ta)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Outline Code — CST3 (Toshiba internal), 2-1J1B
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
Application Category — High-Speed Switching / Analog Switches

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں