1EDI60N12AFXUMA1 vs 1ED3124MU12HXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDI60N12AFXUMA1 द्वारा Infineon और 1ED3124MU12HXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
1EDI60N12AFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 10A Source/9.4A Sink | Infineon
1EDI60N12AFXUMA1 ✓ सक्रियInfineon
1ED3124MU12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER
1ED3124MU12HXUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1EDI60N12AFXUMA1 | 1ED3124MU12HXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Driver Configuration | Single high-side, galvanically isolated | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Isolation Type | Magnetic (coreless transformer) | — |
| Isolation Voltage | 1200 V working voltage | — |
| Maximum Output Voltage | 40 V | — |
| Source Current (typ.) | 10 A | — |
| Sink Current (typ.) | 9.4 A | — |
| Supply Voltage (VDD) | 3.1 V to 17 V | — |
| Propagation Delay (typ.) | 120 ns | 90 ns |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V and 5 V CMOS/TTL | — |
| Creepage Distance (min.) | 4 mm | — |
| Short-Circuit Clamping | Yes (separate sink/source outputs) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | — |
| पैकेज | PG-DSO-8-51 (DSO-8) | PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL2 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Product Type | — | Single-channel isolated gate driver IC |
| Manufacturer Family | — | EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) |
| Peak Output Current (source/sink) | — | 14 A typical |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | — | Separate source and sink pins |
| Galvanic Isolation (rms) | — | 5.7 kV (UL 1577) |
| Working Voltage (continuous) | — | 1200 V |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | — | 200 kV/us minimum |
| UVLO Threshold | — | 10.5 V |
| Isolation Technology | — | Coreless transformer (CT) |
| Creepage Distance | — | >8 mm |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40C to +125C |
| Target Switch Types | — | IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET |
| Recommended Switch Class | — | Up to 2300 V IGBT / SiC modules |