1EDI60N12AFXUMA1 vs 1ED3124MU12HXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDI60N12AFXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3124MU12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDI60N12AFXUMA1 1ED3124MU12HXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Configuration Single high-side, galvanically isolated —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic (coreless transformer) —
Isolation Voltage 1200 V working voltage —
Maximum Output Voltage 40 V —
Source Current (typ.) 10 A —
Sink Current (typ.) 9.4 A —
Supply Voltage (VDD) 3.1 V to 17 V —
Propagation Delay (typ.) 120 ns 90 ns
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS/TTL —
Creepage Distance (min.) 4 mm —
Short-Circuit Clamping Yes (separate sink/source outputs) —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C —
Paket PG-DSO-8-51 (DSO-8) PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Type — Single-channel isolated gate driver IC
Manufacturer Family — EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact)
Peak Output Current (source/sink) — 14 A typical
Çıkış Konfigürasyonu — Separate source and sink pins
Galvanic Isolation (rms) — 5.7 kV (UL 1577)
Working Voltage (continuous) — 1200 V
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 200 kV/us minimum
UVLO Threshold — 10.5 V
Isolation Technology — Coreless transformer (CT)
Creepage Distance — >8 mm
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40C to +125C
Target Switch Types — IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET
Recommended Switch Class — Up to 2300 V IGBT / SiC modules

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin