1EDN7126GXTMA1 vs 2EDN7524GXTMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN7126GXTMA1 द्वारा Infineon और 2EDN7524GXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
1EDN7126GXTMA1 1EDN7126GXTMA1 - 1.5A 200V TDI Gate Driver for GaN | Infineon

1EDN7126GXTMA1 - 1.5A 200V TDI Gate Driver for GaN | Infineon

1EDN7126GXTMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2EDN7524GXTMA1 2EDN7524GXTMA1 - 5A Dual Low-Side Gate Driver for MOSFET/GaN | Infineon

2EDN7524GXTMA1 - 5A Dual Low-Side Gate Driver for MOSFET/GaN | Infineon

2EDN7524GXTMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 1EDN7126GXTMA1 2EDN7524GXTMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
फ़ंक्शन Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C —
पैकेज PG-VSON-10-4 PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Product Type — Low-side gate driver IC
Number of Channels — 2 (dual)
Drive Current (Source/Sink) — 5 A peak
Input Logic — Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible
Input Voltage Tolerance — -10 V to +20 V on logic pins
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range]
Propagation Delay — 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure]
Channel-to-Channel Delay Matching — 1 ns
राइज़ टाइम — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
फॉल टाइम — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
Output Stage — Rail-to-rail, separate source/sink
UVLO Protection — Yes
ऑपरेटिंग तापमान — -40 C to +125 C
Target Devices — Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs

डेटाशीट और संसाधन

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