1EDN7126GXTMA1 vs 2EDN7524GXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7126GXTMA1 توسط Infineon و 2EDN7524GXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN7126GXTMA1 2EDN7524GXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
محدوده دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی PG-VSON-10-4 PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Product Type — Low-side gate driver IC
Number of Channels — 2 (dual)
Drive Current (Source/Sink) — 5 A peak
Input Logic — Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible
Input Voltage Tolerance — -10 V to +20 V on logic pins
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range]
Propagation Delay — 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure]
Channel-to-Channel Delay Matching — 1 ns
زمان صعود — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
زمان افت — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
Output Stage — Rail-to-rail, separate source/sink
UVLO Protection — Yes
دمای کاری — -40 C to +125 C
Target Devices — Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت