1EDN7126GXTMA1 vs 2EDN7524GXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7126GXTMA1 tarafından Infineon ve 2EDN7524GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7126GXTMA1 2EDN7524GXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C —
Paket PG-VSON-10-4 PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Product Type — Low-side gate driver IC
Number of Channels — 2 (dual)
Drive Current (Source/Sink) — 5 A peak
Input Logic — Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible
Input Voltage Tolerance — -10 V to +20 V on logic pins
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range]
Propagation Delay — 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure]
Channel-to-Channel Delay Matching — 1 ns
Artış Süresi — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
Düşüş Süresi — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
Output Stage — Rail-to-rail, separate source/sink
UVLO Protection — Yes
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C
Target Devices — Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin