2ED2106S06FXUMA1 vs IRS2104STRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2106S06FXUMA1 द्वारा Infineon और IRS2104STRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IRS2104STRPBF IRS2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2104STRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED2106S06FXUMA1 IRS2104STRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 0.7 A 0.6 A
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns 150 ns
आउटपुट की संख्या 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 —
पिन की संख्या 8 —
पैकेज PG-DSO-8-69 (DSO-8) 8-Lead SOIC (SOIC-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
आउटपुट प्रकार Half-Bridge, Non-Inverting —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
टोपोलॉजी — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
Logic Input Compatibility — Standard CMOS / LSTTL
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -40C to +150C
MSL स्तर — 2 (1 year floor life per datasheet)
Qualification Level — Industrial
RoHS स्थिति — Compliant (PbF suffix)

डेटाशीट और संसाधन

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