2N7002-7-F vs 2N7002H6327XTSA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2N7002-7-F द्वारा Diodes Incorporated और 2N7002H6327XTSA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Diodes Incorporated
2N7002-7-F - 60V N-Ch Enhancement MOSFET SOT-23 | Diodes Incorporated
2N7002-7-F ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 2N7002-7-F | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Diodes Incorporated | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 115 mA | — |
| Continuous Drain Current Range (per Mouser listing) | 105 mA to 210 mA | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 370 mW | — |
| On-Resistance RDS(on) | 7.5 ohm to 13.5 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| पैकेज | SOT-23-3 (TO-236) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj / TA operating range] | -55C to +150C (Tj) |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge typical] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typical] | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Terminal Finish | Matte tin (solderable per MIL-STD-202, method 208) | — |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS (Planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 300 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial / Commercial Grade |