2N7002-7-F vs 2N7002H6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2N7002-7-F tarafından Diodes Incorporated ve 2N7002H6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2N7002-7-F 2N7002H6327XTSA2
Marka Diodes Incorporated Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel Enhancement-Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 115 mA —
Continuous Drain Current Range (per Mouser listing) 105 mA to 210 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 370 mW —
On-Resistance RDS(on) 7.5 ohm to 13.5 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Paket SOT-23-3 (TO-236) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj / TA operating range] -55C to +150C (Tj)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge typical] [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] [DATA_NEEDED: Ciss]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Terminal Finish Matte tin (solderable per MIL-STD-202, method 208) —
Channel Mode Enhancement Enhancement
Technology Trench MOSFET OptiMOS (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Qualification — Industrial / Commercial Grade

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin