2N7002-7-F vs 2N7002H6327XTSA2 So sánh
So sánh chi tiết song song của 2N7002-7-F bằng Diodes Incorporated và 2N7002H6327XTSA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Diodes Incorporated
2N7002-7-F - 60V N-Ch Enhancement MOSFET SOT-23 | Diodes Incorporated
2N7002-7-F ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 2N7002-7-F | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Diodes Incorporated | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 115 mA | — |
| Continuous Drain Current Range (per Mouser listing) | 105 mA to 210 mA | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 370 mW | — |
| On-Resistance RDS(on) | 7.5 ohm to 13.5 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Hộp | SOT-23-3 (TO-236) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Tj / TA operating range] | -55C to +150C (Tj) |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge typical] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typical] | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Terminal Finish | Matte tin (solderable per MIL-STD-202, method 208) | — |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS (Planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 300 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial / Commercial Grade |