2N7002LT1G vs 2N7002L तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2N7002LT1G द्वारा onsemi और 2N7002L द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 2N7002LT1G | 2N7002L |
|---|---|---|
| ब्रांड | onsemi | onsemi |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| Channel Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 60 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 115 mA (Tc) | — |
| Power Dissipation PD | 225 mW (Ta) | — |
| Maximum RDS(on) | 7.5 ohm @ VGS = 5 V | — |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| पैकेज | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23 (SOT-23-3) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 3 | — |
| श्रेणी | Small Signal MOSFET | — |
| Technology | MOSFET | High cell density trench MOSFET |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | onsemi |
| Lead Finish | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Packaging | [DATA_NEEDED: packaging type] | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 115 mA (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 7.5 ohm max at VGS = 5V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1 V to 2.5 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 200 mW (Ta), 225 mW max |
| Switching Performance | — | Fast switching, rugged and reliable |
| Gate Drive | — | 5V logic-level enhancement mode |
| Typical Applications | — | Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |