BSC009NE2LSATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC009NE2LSATMA1 द्वारा Infineon और BSC014NE2LSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC009NE2LSATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 25V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_a | 41 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_c | 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 255 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (T_a) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (T_c) | 96 W | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (TJ) | — |
| पैकेज / केस | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 8 | — |
| MSL स्तर | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +150 °C |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| Lead-Free | — | Yes |