BSC009NE2LSATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC009NE2LSATMA1 tarafından Infineon ve BSC014NE2LSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC009NE2LSATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 25V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_a | 41 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_c | 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 255 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (T_a) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (T_c) | 96 W | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (TJ) | — |
| Paket / Kas | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +150 °C |
| Paket | — | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| Lead-Free | — | Yes |