BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC009NE2LSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC010NE2LSIATMA1 द्वारा Infineon और BSC009NE2LSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC010NE2LSIATMA1 | BSC009NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series / Family | OptiMOS 25V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 96 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (Trench) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (TJ) | -55C to +150C (TJ) |
| पिन काउंट | 8 | 8 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Rds(on) at 10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] | — |
| Rds(on) at 4.5V | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Series | — | OptiMOS 25V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_a | — | 41 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_c | — | 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 255 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 0.9 mOhm |
| Power Dissipation (T_a) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (T_c) | — | 96 W |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| पैकेज / केस | — | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) |