BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC009NE2LSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC010NE2LSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC009NE2LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC010NE2LSIATMA1 BSC009NE2LSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series / Family OptiMOS 25V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 96 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) MOSFET (Metal Oxide)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (TJ)
Pin Sayısı 8 8
RoHS Durumu Compliant Compliant
Gate Drive Logic-level compatible —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Rds(on) at 10V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] —
Rds(on) at 4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 25 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_a — 41 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_c — 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey)
Pulsed Drain Current (I_DM) — 255 A
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 0.9 mOhm
Power Dissipation (T_a) — 2.5 W
Power Dissipation (T_c) — 96 W
Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Paket / Kas — PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin