BSC011N03LSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC011N03LSATMA1 द्वारा Infineon और ISC011N03L5SATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC011N03LSATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 30V | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 37 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 100 A (TC) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.1 mOhm (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Technology | — | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |