BSC011N03LSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC011N03LSATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC011N03LSATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 30V | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 37 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 100 A (TC) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.1 mOhm (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Technology | — | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |