BSC026N04LSATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC026N04LSATMA1 द्वारा Infineon और BSC014N04LSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC026N04LSATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 23 A | 31 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 2.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: max RDS(on)] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 63 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C | -55 C to +150 C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench-gate OptiMOS™ 5 | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Tradename | — | OptiMOS |