BSC026N04LSATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC026N04LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014N04LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC026N04LSATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 23 A | 31 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 2.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: max RDS(on)] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 63 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C | -55 C to +150 C |
| پیکیج | PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench-gate OptiMOS™ 5 | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Tradename | — | OptiMOS |