BSC035N04LSGATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC035N04LSGATMA1 द्वारा Infineon और BSC030N03MSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC035N04LSGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC035N04LSGATMA1 | BSC030N03MSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 3M |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55°C to +150°C | -55°C to +150°C |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25°C | — | 69 W |
| Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) | — | 4.5V / 10V |
| Status | — | Active |