BSC035N04LSGATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC035N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC030N03MSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC035N04LSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 3M
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 69 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +150°C -55°C to +150°C
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 3.0 mΩ (typical at VGS=10V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25°C — 69 W
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) — 4.5V / 10V
Status — Active

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں