BSC076N04NDATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC076N04NDATMA1 द्वारा Infineon और BSC340N08NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC076N04NDATMA1 | BSC340N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-Channel (independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (max, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 65 W | 32 W |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS 3 (N-Channel Trench) |
| Qgd/Qgs Ratio | < 0.8 (high shot-through immunity) | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज / केस | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Pb-Free | Compliant (Pb-free plating) | — |
| FET Type | 2x N-Channel MOSFET array | — |
| Part Number | — | BSC340N08NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 7 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 92 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 34 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | +/- 20 V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) |
| MSL स्तर | — | 1 |
| RoHS / Lead-Free | — | RoHS compliant, lead-free |
| Channel Type | — | Single N-Channel |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche rated |