BSC076N04NDATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC076N04NDATMA1 توسط Infineon و BSC340N08NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC076N04NDATMA1 | BSC340N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-Channel (independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (max, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 65 W | 32 W |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS 3 (N-Channel Trench) |
| Qgd/Qgs Ratio | < 0.8 (high shot-through immunity) | — |
| دمای اتصال کاری | -55 C to +175 C | — |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Pb-Free | Compliant (Pb-free plating) | — |
| FET Type | 2x N-Channel MOSFET array | — |
| Part Number | — | BSC340N08NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 7 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 92 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 34 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | +/- 20 V |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +150C |
| بسته‌بندی | — | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) |
| سطح MSL | — | 1 |
| RoHS / Lead-Free | — | RoHS compliant, lead-free |
| Channel Type | — | Single N-Channel |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche rated |