BSC076N04NDATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC076N04NDATMA1 tarafından Infineon ve BSC340N08NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC076N04NDATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 65 W 32 W
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket / Kas PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 92 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
Paket — PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
MSL Seviyesi — 1
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin