BSC117N08NS5ATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC117N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon और IPD33CN10NGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD33CN10NGATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon | PG-TO252
IPD33CN10NGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC117N08NS5ATMA1 | IPD33CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS (Trench) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 8 | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | -55C to +175C (TJ) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL स्तर | 1 | 1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 27 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 58 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |