BSC117N08NS5ATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC117N08NS5ATMA1 tarafından Infineon ve IPD33CN10NGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC117N08NS5ATMA1 | IPD33CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS (Trench) |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 8 | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | -55C to +175C (TJ) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 27 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 58 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |